蒸發(fā)沉積鍍膜技術(shù)
在蒸發(fā)沉積鍍膜技術(shù)中，真空室中源材料被電子束加熱或蒸發(fā)，蒸氣在光學(xué)表面凝結(jié)。在蒸發(fā)過程中，通過精確控制加熱、真空壓力、基片定位和旋轉(zhuǎn)，可以獲得比厚度均勻的光學(xué)涂層。蒸發(fā)這種技術(shù)性質(zhì)比較溫和，就會(huì)導(dǎo)致涂層變得松散或多孔。這種疏松涂層具有吸水性，改變了薄膜的有效折射率，導(dǎo)致性能下降。離子束輔助沉積可以增強(qiáng)蒸發(fā)涂層，其中離子束將對(duì)準(zhǔn)基片表面。這增加了源材料與光學(xué)表面的附著力，產(chǎn)生更大的應(yīng)力，并使涂層更致密、更耐用。
離子束濺射（IBS）鍍膜技術(shù)
當(dāng)離子束濺射時(shí)，高能電場(chǎng)會(huì)加速離子束的產(chǎn)生，這個(gè)加速度給離子很大的動(dòng)能。當(dāng)與源材料碰撞時(shí)，離子束濺射出目標(biāo)的原子。這些濺射靶離子（由于電離區(qū)的影響原子轉(zhuǎn)變?yōu)殡x子）也具有動(dòng)能，在與光學(xué)表面接觸時(shí)會(huì)產(chǎn)生致密的薄膜。
等離子體濺射鍍膜技術(shù)
等離子體濺射是一系列技術(shù)的總稱，如先進(jìn)的磁控濺射和等離子體濺射，不管該技術(shù)如何，包括等離子體的產(chǎn)生，等離子體中的離子被加速進(jìn)入源材料，與松散的能量源離子碰撞，然后濺射到目標(biāo)光學(xué)元件上。雖然不同類型的等離子濺射具有其獨(dú)特的特性和優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，但是這種涂覆技術(shù)比本文所涉及的其它涂覆技術(shù)要小得多。
原子層沉積鍍膜技術(shù)
與蒸發(fā)沉積不同，原子層沉積的源材料不需要從固體中蒸發(fā)，而是直接以氣體的形式存在，盡管該技術(shù)使用氣體，但是在真空室中仍然需要高溫。在ALD過程中，氣體前驅(qū)體通過非重疊脈沖傳輸，脈沖是自限幅的，該工藝具有獨(dú)特的化學(xué)設(shè)計(jì)，每個(gè)脈沖僅粘附一層，并且對(duì)于光學(xué)部件的表面幾何形狀沒有特殊要求，因此，這一工藝可以使我們控制涂層厚度和設(shè)計(jì)，但它會(huì)降低沉積速率。
鍍膜工藝
不同的涂層沉積技術(shù)具有各自的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，瑞誠(chéng)光電可以采用不同的沉積技術(shù)為客服服務(wù)。
